Samsung Electronics comenzará la producción en masa y el envío de sus chips de memoria HBM4 de sexta generación a finales de este mes. Los envíos podrían comenzar la próxima semana después de las vacaciones del Año Nuevo Lunar. Los chips están destinados a las unidades de procesamiento de gráficos de Nvidia y admitirán la plataforma aceleradora de inteligencia artificial Vera Rubin de Nvidia, cuyo lanzamiento está previsto para la segunda mitad de 2026.
Los chips HBM4 alcanzan velocidades de procesamiento de datos de hasta 11,7 gigabits por segundo. Esto supera el estándar JEDEC de 8 Gbps en un 37 por ciento y supera a la generación anterior HBM3E en un 22 por ciento. El ancho de banda de la memoria por pila alcanza hasta 3 terabytes por segundo, aproximadamente 2,4 veces mayor que el HBM3E.
Samsung utiliza un proceso de fabricación integrado verticalmente. Produce la matriz lógica base con su fundición interna de 4 nanómetros y la combina con 1c DRAM, su tecnología de memoria de sexta generación de clase 10 nanómetros. Fuentes de la industria señalan las ventajas de Samsung: “Samsung, que tiene la mayor capacidad de producción del mundo y la gama más amplia de productos, ha demostrado una recuperación en su competitividad tecnológica al convertirse en el primero en producir en masa el HBM4 de mayor rendimiento”, dijo una fuente de la industria al Korea JoongAng Daily.
Esto posiciona a Samsung por delante de su rival SK Hynix. SK Hynix retrasó su producción en masa de HBM4 de febrero a marzo o abril de 2026. Planea confiar en HBM3E como su producto principal durante al menos la primera mitad de 2026, influenciado por los cambios en la estrategia de productos de Nvidia.
Samsung completó el proceso de certificación de calidad de Nvidia y aseguró las órdenes de compra. Su cronograma de producción coincide con el cronograma de Vera Rubin de Nvidia. Los chips HBM4 de Samsung obtuvieron las puntuaciones más altas en las pruebas de Nvidia en cuanto a velocidad de funcionamiento y eficiencia energética.
Para abordar la creciente demanda de memoria de IA, Samsung pretende aumentar la capacidad de producción de HBM en un 50 por ciento para finales de 2026. Su objetivo es producir 250.000 obleas por mes, frente a las 170.000 actuales. Una nueva línea de producción de DRAM en la Planta 4 de Pyeongtaek agregará entre 100.000 y 120.000 obleas mensuales, aumentando la capacidad general de producción de DRAM en un 18 por ciento.
