La memoria de gran ancho de banda de próxima generación de Samsung Electronics, HBM4 (sexta generación), hará su debut oficial junto con el acelerador de inteligencia artificial “Rubin” de NVIDIA en la conferencia GTC 2026 de la compañía en marzo.
La industria de semiconductores informó el día 25 que Samsung pasó las pruebas finales de calidad para HBM4 tanto de NVIDIA como de AMD. La empresa comenzará la producción en masa el próximo mes. Las unidades HBM4 producidas en masa y enviadas desde Samsung en febrero llegarán a NVIDIA para su uso en demostraciones de rendimiento de Rubin en el evento GTC de marzo.
El HBM4 de Samsung funciona a 11,7 Gb/s, superando los 10 Gb/s requeridos por NVIDIA y AMD. El año pasado pasó la verificación sin rediseño, incluso después de que los clientes solicitaron mejoras de rendimiento, lo que confirma su integridad tecnológica.
Las evaluaciones de la industria indican que este envío señala la normalización de la tecnología de memoria de Samsung. El producto resuelve la brecha tecnológica con los competidores que aparecieron en las generaciones HBM3 y HBM3E, posicionando a Samsung para recuperar su liderazgo de producto anterior.
Se prevé que el suministro a gran escala y en gran volumen de HBM4 se produzca alrededor de junio. A medida que HBM4 se integra en aceleradores de IA como Rubin, su suministro se alinea con los cronogramas de producción en masa del producto final de los clientes. Actualmente, los principales clientes producen chips de próxima generación a través de fundiciones, por lo que Samsung ajustará los volúmenes de envío de HBM4 para que coincidan con sus cronogramas reales de producción en masa y las cantidades requeridas.
Los detalles provienen de un artículo exclusivo en biz.sbs.co.kr.
