Según los informes, Huawei avanza significativamente sus capacidades de fabricación de chips, con fuentes que indican el desarrollo de dos tipos distintos de chips de 3NM. Esta ambiciosa empresa tiene como objetivo superar los límites de la tecnología de semiconductores dentro de China, incluso cuando la compañía enfrenta extensas sanciones internacionales que restringen el acceso a equipos de fabricación avanzados, particularmente máquinas de litografía EUV de ASML.
Según los informes, Huawei está buscando una estrategia de doble vía para su desarrollo de 3NM. Un enfoque se centra en la tecnología FET de Gate-All-Around (GAA), una arquitectura de transistores de próxima generación que promete una mejor eficiencia y rendimiento energéticamente. El otro implica explorar semiconductores basados en nanotubos de carbono futuristas, una tecnología potencialmente revolucionaria, aunque su progreso actual sigue siendo en gran medida sin revelar.
Este impulso hacia 3NM sigue al reciente éxito de Huawei con el chip Kirin X90 de 5 nm. A pesar de no tener acceso a las máquinas EUV de ASML, la compañía, en asociación con SMIC, utilizó la litografía ultravioleta profunda (DUV) combinada con técnicas complejas de varios patios para fabricar el chip de 5 nm. Si bien un logro notable bajo las circunstancias, este método dio como resultado un rendimiento informado de solo 20%, significativamente menor que los estándares de la industria para nodos maduros.
Según los informes, el chip FET de 3NM GAA está programado para una cinta adhesiva en 2026. Si el desarrollo procede según lo planeado y mejoran los rendimientos, la producción en masa podría comenzar en 2027. Sin embargo, depender de la litografía de DUV para las tolerancias aún más estrictas de un proceso de 3NM conduce a un menor menor.
Para superar estos obstáculos, Huawei ha invertido mucho, comprometiendo $ 37 mil millones para el desarrollo de la tecnología EUV nacional. Algunos expertos son optimistas de que las propias capacidades de EUV de China podrían estar operativas para 2026. A pesar de este optimismo, los expertos, incluidos los ex ingenieros de ASML, siguen siendo escépticos sobre la capacidad a corto plazo de China para replicar la sofisticada tecnología EUV de ASML, que tardó décadas en perfeccionarse.
Huawei ha mantenido un velo de secreto en torno a su progreso en la fabricación avanzada y el desarrollo de EUV, similar al enfoque adoptado con el despliegue de su procesador Kirin 9010. Si Huawei navega con éxito las complejidades de producir chips de 3NM utilizando la tecnología GAA, y potencialmente nanotubos de carbono en el futuro, podría reducir significativamente la brecha tecnológica con líderes globales como TSMC y Samsung, quienes actualmente dominan el espacio de 3NM usando litografía EUV. El éxito de este esfuerzo podría redefinir la posición de China en el panorama global de semiconductores, aunque los desafíos de bajos rendimientos y dependencia de DUV siguen siendo obstáculos sustanciales.
