El último nodo 18A de Intel está haciendo olas en la industria de semiconductores, superando a los competidores N2 de TSMC y los nodos SF2 de Samsung en la clase de rendimiento de 2NM.
El nodo 18A de Intel logró un puntaje de rendimiento de 2.53, superando la puntuación de TSMC N2 de 2.27 y la puntuación de Samsung SF2 de 2.19. Esto posiciona a Intel como líder en la categoría de rendimiento de 2 Nm. El rendimiento superior de Intel 18a se atribuye a sus características innovadoras, incluido el primer nodo en incorporar una red de entrega de potencia trasera (BSPDN).
El BSPDN mejora significativamente el rendimiento del nodo al mejorar la eficiencia del diseño, la utilización de componentes, la resistencia de la interconexión y el rendimiento de potencia ISO. Específicamente, BSPDN aumenta la eficiencia del diseño y la utilización de los componentes en un 5-10%, reduce la resistencia de la interconexión y mejora el rendimiento de la potencia ISO en hasta un 4%. Esto se logra a través de una caída significativa en la resistencia intrínseca en comparación con el enrutamiento de potencia frontal tradicional.
En comparación con su predecesor, Intel 3, el proceso 18A ofrece una mejora del 15% en el rendimiento por vatio y logra un aumento del 30% en la densidad del transistor. Estos avances subrayan el progreso de Intel en la tecnología de semiconductores, lo que hace que su nodo 18A sea altamente competitivo.
El nodo 18A de Intel presenta el diseño de Ribbonfet, que ha ingresado a la producción de riesgos. Según Intel, esta etapa implica la fabricación del volumen de prueba de tensión antes de ampliar hasta un alto volumen en la segunda mitad de 2025. Esto indica que se espera que la fabricación de alto volumen siga poco después, marcando un hito significativo para el nodo.
El nodo 18A también muestra mejoras significativas en la escala SRAM. Las células SRAM de alto rendimiento se han reducido a 0.023 µm², y las células de alta densidad a 0.021 µm², lo que demuestra mejoras sustanciales de escala. Estos avances reflejan factores de escala de 0.77 y 0.88, respectivamente, y desafían los supuestos anteriores de que la escala SRAM se había estancado.
El innovador enfoque de Powervia “alrededor de la matriz” de Intel mejora aún más las capacidades del nodo. Al enrutar los vías de potencia a los circuitos de E/S, control y decodificadores, este enfoque libera el área de las células de bits de las alimentaciones frontales, lo que resulta en una densidad macro bit de 38.1 mbit/mm². Esto posiciona a Intel para rivalizar con el nodo N2 de TSMC en términos de densidad.
El nodo 18A aparecerá en las CPU de Panther Lake, que están programadas para realizar pruebas a fines de 2025 y envíos a principios de 2026. Esta próxima implementación subraya la preparación del nodo para la integración en los procesadores de próxima generación de Intel, prometiendo un rendimiento mejorado y una eficiencia mejorada para futuras aplicaciones de computación.
